针对酸响应区块共聚物的定向自组装,用于孔收缩工艺和模式转移
Jianghao Zhan1, Jiacheng Luo1, Zixin Zhuo1
1Center of Micro-Nano System, School of Information Science and Technology, Fudan University, Shanghai 200438, China.
Nanomaterials (Basel, Switzerland)
|October 28, 2025
概括
我们为半导体制造开发了一种可酸分裂的块共聚合物. 这项创新增强了定向自组装 (DSA) 蚀刻选择性,使先进电子设备的高保真纳米图案成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 纳米技术 纳米技术
- 聚合物化学 聚合物化学
背景情况:
- 使用聚乙烯块聚 (甲基甲酸) (PS-b-PMMA) 的定向自组装 (DSA) 对于半导体制造至关重要,特别是对于接触孔和通道.
- 当前PS-b-PMMA DSA的一个关键限制是PS和PMMA域之间的蚀刻选择性差,阻碍了模式忠实性.
研究的目的:
- 开发一种对酸反应的区块共聚合物,以提高DSA蚀刻选择性和高保真纳米图案.
- 将可酸切割的连接集成到PS-b-PMMA系统中,与现有的半导体制造工艺兼容.
主要方法:
- 通过PMMA-CHO和PS之间的希夫基链接形成,合成一种对酸反应的区块共聚合物PS-N=CH-PMMA.
- 使用X射线光电子光谱 (XPS) 和Ohta-Kawasaki模拟的薄膜的表征.
- 在193i预先模拟的模板上应用在图形形DSA中,然后进行酸处理和模式转移到TEOS层中.
主要成果:
- 实现了带有垂直方向圆柱形域的均薄膜.
- 在酸性条件下,希夫基结合的选择性裂变使得直接转化为高保真PS面膜,而无需紫外线暴露.
- 缩小了临界维度 (CD) 和改善了局部CD均性 (LCDU) 的缩小孔模式被制造出来,通过PMMA-CHO分子量调节CD.
- 证明了成功地将模式转移到TEOS层中,CD损失最小.
结论:
- 这种酸可分割的区块共聚合物为半导体制造中的高保真纳米图案提供了一个可扩展的解决方案.
- 这种方法提高了蚀刻对比度,并提供可调节的过程窗口,与现有的PS-b-PMMA光刻平台无集成.
- 开发的材料克服了传统DSA的局限性,为先进的微电子制造铺平了道路.
关键词:
希夫基准债券是一种基本债券.对于酸性反应有很大的反应.区块共聚合物 (BCP) 是一种有针对性的自组装 (DSA)转移模式 转移模式 转移模式聚乙烯块聚 (甲基甲酸) (PS-b-PMMA) 的使用.薄膜自组装自组装机器人湿蚀刻湿蚀刻是一种方法.更多相关视频
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