在₂O₃薄膜晶体管中优化热温度,以提高解决方案处理的电性能和稳定性

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 固态物理 固态物理
• 纳米技术纳米技术

背景情况:

• 溶液处理的氧化 (In2O3) 薄膜对下一代电子产品具有前景.
• 热是一种影响薄膜特性和设备性能的关键步骤.

研究的目的:

• 为了研究沉积后热回火温度对In2O3薄膜的影响.
• 确定基于In2O3的高性能薄膜晶体管 (TFT) 的最佳回火条件.

主要方法:

• 热重力测量分析 (TGA) 指导了回火温度的选择 (350,450,550°C).
• 描述技术包括UV-Vis光谱,AFM,拉曼光谱和霍尔效应测量.
• 评估重点是光学,形态,晶体和电气性能.

主要成果:

• 在450°C冷的In2O3薄膜显示了4.28 cm2/V·s的场效应移动性和2.15 × 107.7的开/关比.
• 歇斯底里电压随着热温度的增加而降低 (3.11 V 在 350 °C,1.80 V 在 450 °C,0.92 V 在 550 °C).
• 在450°C的回火条件下,性能和稳定性之间提供了最佳的权衡.

结论:

• 沉积后的回火温度显著影响溶液处理的In2O3薄膜的性能.
• 450°C的火温度是制造高性能和稳定的In2O3 TFT的最佳条件.
• 这些发现支持在先进的氧化物电子中使用优化的In2O3薄膜.