通过源面罩优化在EUV刻版中提高图案忠实度和减轻偏差

科学领域:

• 半导体制造业 半导体制造业
• 石版技术 石版技术 石版技术
• 光学工程是指光学工程.

背景情况:

• 极端紫外线 (EUV) 石版对于先进的半导体制造至关重要,使得更小的技术节点成为可能.
• 在3nm以下的缩放在异常控制和图案忠实性方面存在重大挑战.
• 目前的方法很难保持图像质量,并在这些关键尺寸上处理窗口.

研究的目的:

• 展示源面罩优化 (SMO) 作为一种解决方案,用于控制误差和EUV石版画的图案忠实性.
• 为了提高模式传输的准确性,并减轻亚-3纳米技术节点的误差.
• 在特征尺寸缩放过程中提供维护光刻性能的途径.

主要方法:

• 开发了源面膜优化 (SMO) 的综合优化框架.
• 集成的关键过程指标,包括关键维度 (CD),暴露度 (EL) 和掩盖误差因子 (MEF).
• 应用SMO到40nm的最小调度模式,代表2nm节点后端线 (BEOL) 要求.

主要成果:

• 实现了显著的成像质量和40nm最小距离模式的工艺窗口的显著改进.
• 显示CD统一性变异的平均减少为4.02%.
• 报告了暴露度的1.48%改善和面罩误差因子 (MEF) 的5.45%降低.

结论:

• 智能SMO实现通过平衡源特征与面具修改,使强大的模式解决方案成为可能.
• SMO有效地弥补了固有的EUV误差,这对于先进的光刻技术至关重要.
• 提出的偏差感知SMO策略对于下一代半导体制造至关重要.