结构稳定性以及高压下化物 (O,S,Te) 合四角形ZnSe单层的电和光学性能
Runze Tian1, Tao Liu1, Yuxuan Huang1
1Institute of Bismuth and Rhenium Science, School of Materials and Chemistry, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai, 200093, China. wangshixia@usst.edu.cn.
Physical chemistry chemical physics : PCCP
|October 31, 2025
概括
这项研究研究了压力如何影响纯二氧化 (ZnSe) 单层和化单层的作用. 压力会诱导结构稳定性的变化,半导体到金属的转换,以及光学吸收的变化,而合材料显示可见光吸收.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算化学的计算化学
背景情况:
- 化 (ZnSe) 是一种具有调节性质的半导体.
- 了解压力等外部刺激下的物质行为对于新型应用至关重要.
- 用 chalcogens 合 ZnSe 可以修改其电子和光学特征.
研究的目的:
- 在不同压力下研究纯和素合的ZnSe单层的结构,电和光学特性.
- 为了确定这些材料的稳定范围和相变.
- 分析带隙和光学吸收光谱的压力诱导的变化.
主要方法:
- 使用第一原则计算来模拟物质的行为.
- 分析自由能量和细胞体积作为压力的函数,以确定结构稳定性.
- 在压力下计算了带隙分析和光学吸收光谱.
主要成果:
- 在所有研究的ZnSe单层中,在特定的压力范围内确定了结构相变.
- 观察到压力诱导的半导体到金属的过渡.
- 在高压下,吸收峰值发生了显著的红色变化.
- 纯ZnSe单层表现出红外吸收,而S和Te合的单层显示出可见的吸收特性.
结论:
- 压力显著改变了ZnSe单层的结构稳定性,电子带结构和光学吸收.
- 使用硫 (S) 和 (Te) 的注引入了在压力下可见光吸收特性.
- 这些发现为设计基于ZnSe单层的压力响应光电子设备提供了洞察力.


