在InP/ZnSe/ZnS量子点中的缺陷级联诱导的光降解

Yeongrok Jin1,2, Seongmun Kim1, Yeo-Geon Yoon3

  • 1Department of Physics, Pusan National University, Busan, 46241, Republic of Korea.

概括

量子点中的表面硫空隙在光下启动了一连串的缺陷,降低了性能. 通过被动化这些位点,可以提高量子点中的光稳定性和光电子效率.