量子井基微激光器InGaAsN的光学性能被SiO₂sol-gel薄膜受化

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 光电学是指光电子产品.
• 半导体物理 半导体物理

背景情况:

• 甲化 (InGaAsN) 量子井微激光器对于电信至关重要.
• 在这些设备中实现高效的室温操作和高性能仍然是一个挑战.
• 现有的被动化技术可能是复杂的或能源密集的.

研究的目的:

• 为InGaAsN量子井微激光器开发和评估一种新型的低温,无等离子体的sol-gel二氧化 (SiO2) 消极化方法.
• 为了研究这种被动化对光学送和电流注入下的微激光器光学性能的影响.
• 评估这种方法在提高设备性能和实现实际应用方面的潜力.

主要方法:

• 使用低温,无等离子体技术,涂上一个sol-gel SiO2被动化涂层薄膜.
• 制造InGaAsN量子井微激光器,发射在1.2微米.
• 光学试验,以评估光发光强度和激光特征.
• 电气注入测量以确定门电流密度.

主要成果:

• 对光学送微激光器和电气注入微激光器的光学性能显著提高.
• 在光学的微激光器中实现室温激光,显著增加光发光强度.
• 电注微激光器的降低门电流密度从45.8kA/cm2降至20.1kA/cm2.
• 证明SiO2被动化在提高设备效率和稳定性的有效性.

结论:

• 低温,无等离子体的sol-gel SiO2被动化方法有效地提高了InGaAsN量子井微激光器的性能.
• 这种技术为开发用于纳米光子和光电子的高性能,高能效的微激光器提供了有前途的途径.
• 改进的设备特性为光通信和传感领域的先进应用开辟了道路.