InAs/InAlGaAs/(001) InP量子点激光器通过统一性增强的MOCVD增长实现100°C以上的连续波运行

科学领域:

• 半导体物理 半导体物理
• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学是一种材料科学.

背景情况:

• 量子点 (QD) 对光电子设备至关重要.
• 对于InAs QD激光器来说,高温操作仍然是一个挑战.
• 优化QD增长是提高设备性能的关键.

研究的目的:

• 为了系统地描述1.55μm InAs QD激光器.
• 为了证明改进的高温操作能力.
• 调查QD层数和设备几何学的影响.

主要方法:

• 优化 InAs/(001) InP 量子点生长过程.
• 在宽面积 (BA) 和窄形状的Fabry-Pérot (FP) 激光器的制造和表征.
• 在连续波 (CW) 和高温脉冲操作下进行测试.

主要成果:

• 连续波激光达到105°C以上,具有5个QD层 (BA) 和9个QD层 (窄).
• 在FP-BA激光器中,脉冲运行持续激光到120°C.
• 低值电流密度为296 A/cm2 (59.2 A/cm2 每个 QD 层).

结论:

• 优化的InAs/InP QD增长显著提高了高温激光的性能.
• 1.55μm InAs QD激光器在100°C以上运行的可行性已被证明.
• 对需要强大的热稳定性的先进光电子应用有潜力.