缓解结构缺陷在2D范德瓦尔斯化物生长过程中通过分子束Epitaxy减轻结构缺陷
Qihua Zhang1, Maria Hilse1,2,3, Stephanie Law1,2,3,4
1Two Dimensional Crystal Consortium Materials Innovation Platform, The Pennsylvania State University, University Park, PA, 16802, USA.
高质量的晶圆尺度范德瓦尔斯 (vdW) 薄膜通过分子束表层 (MBE) 的生长对于先进技术至关重要. 多步增长方法减轻缺陷,使晶体vdW薄膜用于量子和光电子应用.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 晶圆尺度的范德瓦尔斯 (vdW) 薄膜和异构结构对于量子技术,光电子学和基本物理学至关重要.
- 标准的分子束表 (MBE) 共同沉积方法通常会导致VDW材料的结构缺陷,原因是薄膜/基板相互作用较弱,湿透性较差.
研究的目的:
- 介绍使用MBE种植高晶晶晶片尺度VDW薄膜的一般配方.
- 为了应对VDW材料增长中的结构缺陷的挑战.
主要方法:
- 使用多步增长程序来控制核和凝聚.
- 采用分子束表 (MBE) 进行薄膜沉积.
主要成果:
- 缓解结构缺陷,例如双域,反相域,螺旋和金字塔式生长.
- 实现高度结晶的晶圆尺度的vdW薄膜.
结论:
- 一个多步骤的MBE增长战略有效地克服了VDW薄膜沉积的常见缺陷.
- 这种方法可以生产高质量的VDW薄膜,用于先进的应用.
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