通过通过增强等离子体原子层沉积培养的超薄SiO2介层,减少Al₂O₃/HfO₂纳米层中的接口缺陷

科学领域:

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• 纳米技术纳米技术

背景情况:

• 2O3/HfO2纳米层为激光涂层提供了极好的潜力.
• 在Al2O3-on-HfO2接口的高缺陷密度限制了涂层性能.

研究的目的:

• 研究超薄SiO2介层对Al2O3/HfO2纳米层和纳米复合材料的影响.
• 为了减少接口缺陷密度并提高激光诱导损伤值 (LIDT).

主要方法:

• 使用等离子体增强原子层沉积制造Al2O3 / HfO2纳米层和纳米复合材料与SiO2中间层的制造.
• 界面属性的表征和LIDT.

主要成果:

• SiO2介层有效地降低了接口缺陷密度.
• 纳米层材料和纳米复合材料的LIDT增加,但折射率没有显著变化.
• 对于使用Al2O3-HfO2-SiO2纳米复合材料的激光束分割器涂层,观察到LIDT的1.5倍增加.

结论:

• 超薄SiO2介层是缓解Al2O3/HfO2纳米层中接口缺陷的有希望的策略.
• 这种方法可以显著提高高功率激光涂料的LIDT.
• 介层策略可能适用于其他具有接口缺陷问题的纳米层系统.