瓦特级,窄线宽,可调节的绿色半导体激光与外腔同步锁定技术

科学领域:

• 光学和光子学 在光学和光子学.
• 半导体激光器半导体激光器
• 材料科学 材料科学 材料科学

背景情况:

• 化 (GaN) 半导体激光器在蓝色波长中表现出色,但由于"绿色差距",在绿色波长 (>500 nm) 中面临挑战.
• 在绿色GaN激光器中实现窄线宽和高功率输出仍然是一个重要的技术障碍.

研究的目的:

• 为了展示一个瓦特级,窄线宽,可调节的绿色半导体激光器.
• 为了克服GaN激光技术中"绿色差距"所带来的局限性.

主要方法:

• 采用外腔同步锁定技术.
• 使用了两个绿色边缘发射激光二极管 (LD),光束形光学和可见波长衍射格.
• 同步锁定两个LD利用它们相似的光谱和空间特征.

主要成果:

• 通过同步锁定,通过同步锁定从4nm缩小到0.06nm的3dB线宽.
• 从512.2nm到520.2nm的锁定波长中证明了可调性.
• 在0.15 nm的线宽下,在518 nm时达到1.53 W的最大输出功率.

结论:

• 成功开发了第一个具有瓦特级输出功率的外腔同步锁绿色半导体激光器.
• 展示的技术有效地缩小了线宽,并提高了绿色激光器的输出功率.
• 这一突破为高性能绿色激光应用提供了有希望的解决方案.