GaN:

Thom R Harris-Lee1, Ben Thornley1, Jiawei Zhang1

  • 1Department of Materials Science and Metallurgy, University of Cambridge, Cambridge, CB3 0FS, U.K.

PubMed
概括

研究人员探索了多孔化 (GaN) 的电化学蚀刻 (ECE),发现蚀刻剂中的离子组成控制着孔隙结构. 这一发现允许为光电子设备量身定制的多孔GaN架构.