在热激活的延迟光发射器中测量刺激-刺激灭绝速率常数的方法,以了解OLED中的效率滚动
Le Zhang1,2, Arvydas Ruseckas1, Kou Yoshida1
1Organic Semiconductor Centre, SUPA, School of Physics and Astronomy, University of St. Andrews, St. Andrews, KY16 9SS, UK. ar30@st-andrews.ac.uk.
Materials horizons
|November 14, 2025
概括
单重三重灭绝 (STA) 在高亮度下显著降低有机发光二极管 (OLED) 的效率. 这项研究量化了STA和三倍三倍灭绝 (TTA) 的贡献,揭示了STA是TADF OLED效率下降的主要原因.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 有机电子 有机电子
- 光物理学的光学物理学
背景情况:
- 在高亮度下,效率翻转是使用热激活延迟光 (TADF) 发射器的有机发光二极管 (OLED) 面临的主要挑战.
- 这种现象通常归因于单三灭绝 (STA) 和三三灭绝 (TTA),但由于速率常数的不确定性,它们的确切贡献仍然不清楚.
研究的目的:
- 开发和应用一种可靠的方法来量化TADF OLED中的STA和TTA.
- 在特定的TADF发射系统中确定STA和TTA的速率常数.
- 为了阐明负责OLED设备效率滚动下降的主导机制.
主要方法:
- 使用时间分辨率的光发光 (PL) 测量与可变的脉冲重复率和背景照明.
- 在不同度的宿主材料 (mCBP) 中实验确定多共振TADF发射器 (DABNA-2) 的STA和TTA速率常数.
- 采用设备建模与实验衍生的参数来分析效率滚动.
主要成果:
- 在mCBP中,DABNA-2的STA速率常数随着发射器度的增加而增加,从3 × 10-11到1 × 10-10 cm3 s-1不等.
- 在较低度下,TTA速率常数明显小于STA (小于四个数量级),低于检测极限.
- 在高亮度下,STA占效率损失的一半以上,而TTA具有较小的缓解作用.
结论:
- 时间解析的PL和设备建模的综合方法准确量化了STA和TTA对OLED效率推移的贡献.
- STA被确定为研究的TADF发射器在高亮度下的主要降解途径.
- 这种方法为优化主体材料和发射度提供了强大的工具,以最大限度地减少OLED的效率下降.
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