温度和压力的影响,以压力为基础的纳米透为准备Ga纳米线阵列

Alberto A Mendonça1, Leonardo Tomiatti1, Kleber R Pirota1

  • 1Instituto de Física Gleb Wataghin, Universidade Estadual de Campinas 13083-859 Campinas SP Brazil betophys@ifi.unicamp.br fberon@ifi.unicamp.br.

Nanoscale advances
|November 17, 2025
PubMed
概括

研究人员开发了一种新方法,使用纳米孔模板的液体金属透来制造数百万个纳米线. 最佳条件产生了高比例纳米线,克服了先进材料的制造挑战.