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Seungmin Han1, Hyunjeong Kwak1, Jungho Lee2
1Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, 37673, Republic of Korea.
一个新的双层ECRAM (IRIS-ECRAM) 可视化了氧空位迁移,揭示了对立的切换行为,并使神经形态计算和模拟内存应用程序的设备优化成为可能.
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