灵活的无机/有机记忆器基于W-Doped MoO_x/Poly(甲基甲酸盐) 结构异构

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 纳米技术纳米技术
• 固态物理 固态物理

背景情况:

• 存储器设备中的电阻开关 (RS) 对先进的存储器技术至关重要.
• 金属氧化物中的氧气空缺在促进RS行为方面发挥着关键作用.
• 氧化的兴奋剂正在探索,以提高memristors的材料特性.

研究的目的:

• 为了研究用 (W) 对氧化 (MoO_x) 的兴奋剂.
• 为了制造和描述一个灵活的memristor使用W-dopedMoO_x层.
• 分析制造设备的电阻开关特性和导电机制.

主要方法:

• X射线光电子光谱 (XPS) 和能量分散式X射线光谱 (EDS) 用于材料表征.
• 使用PET/ITO/W-MoO_x/PMMA/Al结构制造一个灵活的记忆器.
• 电气测试用于评估电阻开关参数,如内存窗口和保留时间.

主要成果:

• 通过XPS和EDS.成功地将W纳入MoO_x格子,得到了XPS和EDS.的确认.
• 在W-MoO_x膜中存在氧气空缺,以促进电阻切换.
• W-MoO_x/PMMA记忆器显示了12的记忆窗口和2 × 10^{4的保留时间.}
• 空间电荷有限电流 (SCLC) 模型解释了高电阻状态下的导电.

结论:

• W-MoO_x/PMMA异构结构表现出强大的非易失性记忆行为.
• 该研究强调了W-doped MoO_x作为灵活ReRAM设备的功能层的潜力.
• 使用PMMA的接口调制有效调整RS性能.