在现场Raman测量SiCOH薄膜的增长,使用半导体互连中的甲基解 (HMDSO) 混合源
Hwa Rim Lee1, Tae Min Choi1, Sung Gyu Pyo1
1School of Integrative Engineering, Chung-Ang University, 84, Heukseok-ro, Dongjak-gu, Seoul 06974, Republic of Korea.
Micromachines
|November 27, 2025
概括
实时拉曼光谱监测化学蒸气沉积 (CVD) 期间的氧化碳化 (SiCOH) 薄膜. 这种方法通过在现场追踪薄膜厚度,晶体性和粘合性来确保半导体材料的可靠性.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 化学工程是化学工程的重要组成部分.
- 固态物理 固态物理
背景情况:
- 半导体组件的小型化推动了对低介电常数 (低k) 材料的需求.
- 确保化学蒸汽沉积 (CVD) 沉积材料的可靠性对于先进的半导体制造至关重要.
- 在现场监测对于控制沉积过程中的薄膜特性至关重要.
研究的目的:
- 通过拉曼光谱学研究SiCOH薄膜的实时监测.
- 分析CVD沉积的薄膜的现场生长和特性.
- 为了确定沉积参数和薄膜特性之间的相关性.
主要方法:
- 使用双激光波长 (405nm和532nm) 的拉曼光谱技术进行现场分析.
- 通过化学蒸汽沉积 (CVD) 监测SiCOH薄膜的生长.
- 分析了薄膜厚度,结晶度和粘合结构 (Si-C,Si-OH,C-C) 的变化.
主要成果:
- 拉曼光谱有效地检测到SiCOH薄膜中的实时分子变化.
- 沉积时间和薄膜特性 (如结晶性和键形成) 之间观察到明显的相关性.
- 双激光波长为材料特性提供了全面的光谱数据.
结论:
- 实时拉曼光谱是SiCOH薄膜沉积现场监测的一个有价值的工具.
- 这种技术为优化半导体薄膜工艺提供了洞察力.
- 该研究证明了拉曼光谱技术在半导体应用中确保材料可靠性的能力.
