阶段缺陷对空中图像在高NA极紫外线光刻画中的影响
1School of Electronic Information and Electrical Engineering, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai 200240, China.
Micromachines
|November 27, 2025
概括
在极紫外线 (EUV) 光刻中更高的数值光圈 (NA) 改善了成像对比度,使其更耐受于EUV面罩上的相位缺陷. 更高的NA也减少了缺陷位置对关键维度错误的影响.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 光学石版印刷是一种光学石版印刷.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 极端紫外线 (EUV) 光刻正在向更高的数值孔径 (NA) 发展,以提高分辨率.
- 更高的NA系统可能会对EUV面罩中的相位缺陷敏感度增加.
- 了解NA和相缺陷效应之间的相互作用对于先进的光刻技术至关重要.
研究的目的:
- 综合分析相位缺陷对不同NA值的成像质量的影响.
- 调查不同相缺陷特征如何影响空中图像质量和临界维度 (CD) 误差.
- 为了确定NA对缓解相位缺陷影响的影响.
主要方法:
- 使用严格的合波分析 (RCWA) 对有图案的EUV口罩进行空中图像的模拟.
- 对EUV石版曝光工具进行的分析,NA = 0.55和NA = 0.33.
- 评估缺陷信号,强度损失比率和CD误差变化与缺陷宽度和位置.
主要成果:
- 较高的NA (0.55) 提高了空中图像的对比度,增加了相位缺陷的耐受性,相比较低的NA (0.33).
- 缺陷信号和强度损失比率表现出与缺陷宽度的非单调关系,受高度/宽度比率的影响.
- 随着NA的增加,最大信号的缺陷宽度会减少,并且在更高的NA时,对CD误差的影子效应会被抑制.
结论:
- 高NA EUV光刻可以减轻相位缺陷对成像质量的负面影响.
- 阶段缺陷宽度和位置对成像质量的影响取决于NA.
- 在NA的进步提供了改善的稳定性对面具缺陷在EUV石版画.
