印兴奋剂对基化物GeSbSeTe薄膜选择器仅存储器设备的可靠性特征的影响
Won Hee Jeong1, Soo Hyun Lee1, Gun Hwan Kim1,2
1Department of System Semiconductor Engineering, Yonsei University, Seoul 03722, Republic of Korea.
ACS applied materials & interfaces
|December 3, 2025
概括
在GeSbSeTe选择器单独存储器 (SOM) 中的兴奋剂增强了数据保留,但影响了切换速度. 优化度是平衡下一代存储类内存 (SCM) 性能的关键.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
- 半导体设备 半导体设备
背景情况:
- 下一代内存需要速度,密度和低功耗的数据处理.
- 存储类内存 (SCM) 提供类似DRAM的延迟,具有NAND闪存非挥发性.
- 在3D交叉阵列 (CA) 中,仅选择器内存 (SOM) 使用值电压调制来区分状态.
研究的目的:
- 调查 (In) 兴奋剂对基于GeSbSeTe的SOM设备的影响.
- 分析In度对内存边际和数据保留的影响.
- 确定切换速度和稳定性之间的权衡.
主要方法:
- 在 GeSbSeTe SOM 设备中系统地检查了 In 兴奋剂度 (2%至6%).
- 在不同的条件下测量内存边际 (ΔVth) 和数据保留.
- 在100 ns编程脉冲下对设备性能进行评估.
主要成果:
- 增加In度从2%到6%,扩大了内存边际 (ΔVth) 从0.7V到1.8V.
- 在兴奋剂中显著改善了数据保留,在85°C下稳定2小时.
- 富含的设备在快速编程 (100 ns) 下显示了快速的 ΔVth 降解,而 In-poor 设备保持了更大的边际 (0.2 V).
结论:
- 在In-doped GeSbSeTe SOM设备中的操作速度和数据保留之间存在明显的权衡.
- 通过In doping调节陷状态对于设备性能至关重要.
- 研究结果为切换机制提供了洞察力,并为先进的记忆技术提供了设计指南.
