在近红外 PeLED 中抑制光学损失,使用嵌入化物基排放层中的 CH(NH2) 2PbI3 纳米棒

Nava Tabibifar1, Mehdi Eskandari2, Davood Fathi3,4

  • 1Department of Electrical Engineering, K. N. Toosi University (KNTU), Tehran, Iran.

Scientific reports
|December 8, 2025
PubMed
概括

研究人员使用纳米结构活性层增强近红外矿发光二极管 (PeLED). 这种设计显著提高了光提取效率 (LEE),以改善固态照明应用.