Manasi Mandal1,2, Eunbi Rha1,2, Abhijatmedhi Chotrattanapituk1,3

  • 1Quantum Measurement Group, MIT, Cambridge, Massachusetts 02139, United States.

Nano letters
|December 9, 2025
PubMed
概括

研究人员使用离子植入增强了配化 (Cd3As2) 薄膜中的负纵向磁电阻 (NLMR). 这种技术增强了性异常的特征,显示了能源应用的潜力.