揭示材料和光学随机效应对EUV LWR的相对影响

科学领域:

• 半导体制造业 半导体制造业
• 石版印刷技术的技术
• 材料科学是一种材料科学.

背景情况:

• 极端紫外线 (EUV) 光刻 (13.5纳米波长) 可以实现高分辨率的图案,但由于光子密度较低,容易受到随机效应的影响.
• 由面具粗度,光源和光电阻材料产生的随机效应是EUV光刻画中实现超细图案的关键挑战.
• 单个随机贡献的实验解是复杂的.

研究的目的:

• 调查和量化个人随机效应对EUV石版画图案形成的影响.
• 确定随机效应的主要来源,并提出缓解策略.
• 引导流程优化和新型光电阻开发,以提高图案保真度.

主要方法:

• 使用模式形状模拟来建模和分析随机效应.
• 从面具粗度,光子诱导的光学效应和光电阻材料效应的个体随机贡献被计算分离.
• 评估了每个随机因素对模式破坏风险和整体模式形成的影响.

主要成果:

• 光电阻诱导的材料随机率显示了模式破裂风险的最实质性的改善,将无故障窗口扩大了2.5纳米.
• 由光学随机效应或面具粗性引起的光子分散被发现可以减轻由材料随机效应引起的模式降解.
• 该研究成功地阐明了各种随机现象在复杂的模式形成过程中的不同角色.

结论:

• 光电阻中的物质随机效应是改善EUV石版画中图案破裂风险的主要驱动因素.
• 光学随机效应和面具粗性通过抵消材料随机效应,有助于图案稳定.
• 基于模拟的分析为优化EUV光刻工艺和开发先进的光电阻材料提供了关键的见解.