外在磁化GaAs在一个维的三维光子晶体中的影响
Amita Biswal1, Harekrushna Behera1, Tai-Wen Hsu1
1Center of Excellence for Ocean Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung 202301, Taiwan.
Materials (Basel, Switzerland)
|December 11, 2025
概括
这项研究展示了使用磁化化 (GaAs) 的可调节的太赫兹光子晶体. 应用磁场将光子带间隙移动,使先进光学设备的动态控制成为可能.
科学领域:
- 光子学是指光子学的使用方法.
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
背景情况:
- 光子晶体提供独特的光操纵特性.
- 化 (GaAs) 是一种具有显著磁光效应的半导体.
- 三级光子晶体允许复杂的结构工程.
研究的目的:
- 为了研究1D三元光子晶体与外部GaAs的磁光学行为.
- 分析横向磁场对光学响应和带隙特征的影响.
- 探索动态调节的光子设备的潜力.
主要方法:
- 使用转移矩阵方法进行光学响应分析.
- 研究了一维三元光子晶体结构.
- 应用了高达0.75 T的外部横向磁场.
主要成果:
- 在光子带间隙 (0.32 THz到0.38 THz) 中观察到强烈的磁调性.
- 在应用磁场下实现了100%的带隙调制.
- 由于磁化GaAs的异构反应,证明了极化模式的变化.
结论:
- 对GaAs的外部磁化对于创建紧,可调节的光子设备是有效的.
- 拟议的结构适用于开发可调节的多通道和宽带太赫兹过器.
- 这项工作突出了动态太赫兹波操纵的有希望的方法.
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