在n+-SiC基板中非破坏性检测和识别电活性线程位移
Irwan Saleh Kurniawan1,2, Russel Cruz Sevilla1,2, Hsiu-Ming Hsu1,2
1Department of Physics, Chung Yuan Christian University Taoyuan Taiwan estion53@yahoo.com.tw ctyuan@cycu.edu.tw.
Nanoscale advances
|December 11, 2025
概括
一种新的共聚焦地下缺陷光发光 (PL) 光谱显微镜方法可以选择性地检测高度n-doped碳化 (n+-SiC) 基板中的线程位移 (DS-TD) 中的电活性深度状态.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体物理 半导体物理
- 缺陷工程是什么?缺陷工程是什么?
背景情况:
- 线程位移 (TD) 是n+-SiC基板中普遍存在的缺陷.
- 一个TDs的子集,深度状态TDs (DS-TDs),显著影响设备性能.
- 传统的光发光 (PL) 由于PL火而难以选择性地检测电活性DS-TD.
研究的目的:
- 开发一种用于选择性检测n+-SiC中的电活性失位的新方法.
- 克服常规PL技术在缺陷表征方面的局限性.
- 为了实现非破坏性,在线检查SiC的关键缺陷.
主要方法:
- 同焦点的地下表面缺陷光发光 (PL) 光谱显微镜.
- 在位移中深度状态的选择性光离子化.
- 通过联合脱位线和蚀刻坑排放进行3D成像.
主要成果:
- 成功开发了一种技术,可以在n+-SiC中选择性检测螺丝组件DS-TD (DS-STD).
- 通过光离子化深层状态激活DS-STD特定排放.
- 实现了部分蚀刻的DS-STDs的高对比度3D成像.
结论:
- 开发的共聚焦地下缺陷-PL光谱显微镜可以选择性检测电活跃失位.
- 这种方法克服了高化SiC的PL火限制.
- 铺平了非破坏性的SiC基板在线质量控制的道路.
