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Updated: Jan 8, 2026

20 mJ, 1 ps Yb:YAG Thin-disk Regenerative Amplifier

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Published on: July 12, 2017

通过非相对论电子束在场极化的酸中产生次比秒的太赫兹

Pawan Kumar, Maitri Libber, Deepak Kumar

|December 15, 2025

概括

我们开发了一种使用电子束和表面等离子体极子子产生太赫兹 (THz) 的新方法. 这种技术使得各种应用的紧且可调节的THz源成为可能.

科学领域:

物理物理学物理
材料科学材料科学材料科学
电气工程电气工程

背景情况:

太赫兹 (THz) 辐射应用正在扩大,需要高效和紧的辐射源.
现有的THz发电方法在调节性,效率和整合性方面存在局限性.
表面等离子极子子 (SPPs) 提供了纳米级光操纵的潜力.

研究的目的:

引入一种用于产生太赫兹辐射的新方案.
通过电子束与SPP在导体-电极结构中的相互作用来证明THz生成.
为了实现一个紧,高效和芯片集成THz源.

主要方法:

使用非相对论电子束.
采用尼酸盐电位与空间周期冷电场作为静电摇摆器.
在电位和导电板之间的真空间隙中激发表面等离子极子子 (SPP) 模式.
通过观察SPP模式的共振激发驱动的THz不稳定性.

主要成果:

通过拟议的导体-电极结构实现了太赫兹发电.
证明了电子束对SPP模式的共振激发.
在小于皮秒的时间尺度上观察到辐射放大.
调整生成的THz辐射接近1 THz.

结论:

本次提出的方案为太赫兹发电提供了一条新的途径.
导体-电极结构有效调节电子束速度并激发SPPs.
该方法能够实现适合芯片集成的紧,高效和可调节的太赫兹源.

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