Biasing of Metal-Semiconductor Junctions
MOSFET: Enhancement Mode
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Shukai Liu1, Arunav Bordoloi2,3, Jacob Issokson4
1Department of Physics, Joint Quantum Institute, and Quantum Materials Center, University of Maryland, College Park, MD, USA. sliu499@umd.edu.
具有透明超导半导体连接的流量挫折的盖特蒙量子位表现出显著增强的无和性. 这种内在特性简化了量子控制,并使量子信息处理的高保真性操作成为可能.
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