基于离轴形表面的极紫外线光刻镜像系统的设计,包括一个起点和可视化的全场偏差校正
Optics express
|December 19, 2025
概括
本研究介绍了使用异轴形表面的极紫外线光刻 (EUVL) 客观系统的新设计. 该方法实现了高级半导体制造的高光学性能和可制造性.
科学领域:
- 光学工程是指光学工程.
- 半导体制造技术技术 半导体制造
- 先进的石版画系统先进的石版画系统.
背景情况:
- 极端紫外线光刻 (EUVL) 对于先进的半导体制造至关重要.
- 设计高性能EUVL目标系统带来了重大的光学挑战.
- 现有的方法在平衡光学质量和可制造性方面经常遇到局限性.
研究的目的:
- 为EUVL目标系统提出一种新的设计方法.
- 为了实现高光学性能与改进的可制造性.
- 为多镜光学系统的设计提供参考.
主要方法:
- 在系统设计中使用离轴形表面.
- 采用节点偏差理论进行全场偏差校正.
- 将系统划分为三个组,具有理想的对象图像转换.
主要成果:
- 设计了一个 EUVL 目标系统,其数值孔径 (NA) 为 0.33.
- 达到0.015 λ的最大RMS波面误差,平均值低于0.01 λ.
- 在放松的公差下,证明了强大的性能,97%的案例低于0.03 λ RMS波面误差.
结论:
- 拟议的设计方法可以在EUVL目标系统中实现高光学性能.
- 该设计提供了良好的可制造性,解决了EUVL的一个关键挑战.
- 这项工作为未来的多镜光学系统设计提供了宝贵的参考.


