基于Sn的高性能NIR-II基矿LED通过硫法胺的功能化实现
Xiuling Li1,2, Yuechuan Bi1, Xiang Guan3
1Institute of Fundamental and Frontier Sciences, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, P. R. China.
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.)
|December 19, 2025
概括
在近红外II区域发射的环保矿发光二极管 (PeLED) 使用硫黄胺 (SG) 分子进行了改进. 这解决了缺陷并平衡了载体注入,实现了基于CsSnI3的PeLED的创纪录效率.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 在近红外II (NIR-II) 区域发射的矿发光二极管 (PeLED) 对先进的应用有前途.
- Sn2+的不稳定性和不平衡的载体注入阻碍了基于CsSnI3的PeLED性能.
研究的目的:
- 为了提高基于NIR-II CsSnI3的PeLED的性能.
- 为了解决CsSnI3薄膜中的缺陷并改善载体注射平衡.
主要方法:
- 在 CsSnI3 薄膜中使用功能性硫黄胺 (SG) 分子.
- 使用SO─Sn协调和NH2···I−键进行缺陷被动化.
- 改善形态统一性和调节载体注射.
主要成果:
- 有效地消除CsSnI3薄膜中与Sn (II) 相关的缺陷.
- 增强形态均性和平衡的载体注射.
- 对于CsSnI3-SG PeLED,取得了8.1%的突破性的外部量子效率 (EQE).
结论:
- 硫黄胺 (SG) 分子有效地抑制缺陷,并在基于CsSnI3的PeLED中平衡载体注入.
- 优化的PeLED显示了基于CsSnI3的设备报告的最高效率.
- 这项工作为高性能NIR-II PeLED铺平了道路.
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