结合interictal和ictal低密度EEG源成像,以划分幼儿的发性区域
Roberto Santalucia1, Carlotta Carosio2, Antonio Giulio Gennari3
1Cliniques Universitaires Saint-Luc, Paediatric Neurology Unit, Brussels, Belgium; Institute of Neurosciences (IoNS/NEUR), Université Catholique de Louvain (UCLouvain), Brussels, Belgium; Cliniques Universitaires Saint-Luc, Reference Center for Refractory Epilepsy (CRE), Brussels, Belgium; Member of European Reference Network EpiCARE.
这项研究表明,结合间接电源成像和间接电源成像 (ESI),可以准确地确定药物耐药的儿童的发作焦点. 这种方法预测了成功的外科手术结果,可能使得更早的干预能够获得更好的长期结果.
科学领域:
- 神经学 神经学
- 医疗成像医学成像
- 手术 手术 手术
背景情况:
- 在7岁以下的儿童中,耐药性 (DRE) 带来了重大挑战.
- 精确地定位发性区域对于成功的切除手术至关重要.
- 现有的成像技术在准确识别儿科DRE的发作时可能存在局限性.
研究的目的:
- 评估低密度 (LD) 电源成像 (ESI) 的可行性 电源成像 (IIC) 和电源成像 (IC) 在患有DRE的儿童中.
- 评估手术结果的个人和联合IIC/IC-ESI的诊断准确性和预测价值.
- 确定ESI是否可以支持更早的手术转诊,并改善长期的控制.
主要方法:
- 追溯分析了32名DRE儿童的非识别的EEG和MRI数据,这些儿童在7岁之前接受了切除手术.
- (半) 自动处理EEG/MRI数据以计算IIC-ESI和IC-ESI,对临床信息视而不见.
- 评估ESI局部化与切除腔的一致性,以及与手术后发作自由的关联.
主要成果:
- 个人IIC-ESI和IC-ESI的准确率分别为66%和72%.
- 结合的IIC/IC-ESI方法显著提高了诊断性能,达到75%的准确性和11.4的诊断几率比 (DOR) (p=0.042).
- 结合ESI是术后发作自由的最强预测因子 (OR:222.28,p=0.0262,AUC:0.87).
结论:
- 结合的 (半自动化) LD-IIC 和 IC-ESI 是一种可行且准确的方法,用于定位患有DRE的幼儿的发性区域.
- 这种综合的ESI方法有效地预测了手术后发作自由度.
- ESI可以促进早期的手术干预,缩短手术的时间,并改善儿科的长期结果.
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