基于的Half-Heusler化合物的第一原则研究:用于光电子的结构,电子,光学和热力学特性
Md Tarekuzzaman1, Salah Uddin1, Md Shahazan Parves1
1Materials Research and Simulation Lab, Department of Electrical and Electronic Engineering, International Islamic University Chittagong Kumira Chittagong 4318 Bangladesh zahidhasan.02@gmail.com.
RSC advances
|December 22, 2025
概括
这项研究使用密度函数理论 (DFT) 研究半海斯勒化合物 (VFeAs,VFeBi,VIrPb,VIrSn). 由于其独特的物理和光学特性,这些材料显示出作为光电子半导体和热屏障涂层的前景.
科学领域:
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 计算材料科学科学 计算材料科学
背景情况:
- 半豪斯勒化合物是金属间材料的一类,在各种领域都有潜在的应用.
- 了解它们的基本物理特性对于设计具有定制功能的新材料至关重要.
研究的目的:
- 探索VFeAs,VFeBi,VIrPb和VIrSn的结构,电子,机械,光学和热性能.
- 评估它们适用于光电子设备和热屏障涂层的适用性.
主要方法:
- 密度函数理论 (DFT) 使用剑桥序列总能量包 (CASTEP) 的计算.
- 结构优化,电子带结构和状态密度 (DOS) 分析.
- 弹性常数计算和光学属性分析.
主要成果:
- 所有研究的化合物都表现出稳定的立方体晶体结构.
- 半导体的属性与计算的带间隙:VFeAs (1.615 eV),VFeBi (1.378 eV),VIrPb (1.361 eV),VIrSn (1.574 eV). 半导体的属性与计算的带间隙:VFeAs (1.615 eV),VFeBi (1.378 eV),VIrPb (1.361 eV),VIrSn (1.574 eV). 半导体的属性与计算的带间隙:VFeAs (1.615 eV),VFeBi (1.378 eV),VIrPb (1.361 eV),VIrSn (1.574 eV).
- 通过波恩标准证实机械稳定性;观察到弹性同otropy. 优良的光学特性 (光导,反射,介电功能) 和低的热导率.
结论:
- VFeAs,VFeBi,VIrPb 和 VIrSn 是稳定的半导体材料.
- 它们的光电子特性使得它们在光电子设备应用中具有前景.
- 低导热率表明热屏障涂层应用的潜力.
相关概念视频
Properties of Transition Metals
29.4K
Transition metals are defined as those elements that have partially filled d orbitals. As shown in Figure 1, the d-block elements in groups 3–12 are transition elements. The f-block elements, also called inner transition metals (the lanthanides and actinides), also meet this criterion because the d orbital is partially occupied before the f orbitals.
29.4K
UV–Vis Spectroscopy: Molecular Electronic Transitions
2.7K
In Ultraviolet–Visible (UV–Vis) spectroscopy, the absorption of electromagnetic radiation is used to probe the electronic structure of molecules. This technique provides insights into molecular electronic transitions, particularly the movement of electrons between different molecular orbitals. Radiation is absorbed if the energy of the electromagnetic radiation passing through the molecule is precisely equal to the energy difference between the excited and ground states. During this...
2.7K


