激光切割的SiC晶片的综合结构和界面特性
Hong Chen1, Seul Lee1, Minseung Kang1
1Department of Nano Fusion Technology, Pusan National University, Busan 46241, Republic of Korea.
Materials (Basel, Switzerland)
|December 31, 2025
概括
切割碳化 (SiC) 晶片的紫外线皮秒激光切割可以保持晶体的完整性和电特性. 观察到局部纳米级表面损伤,需要优化激光参数和完成过程.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体制造业 半导体制造业
- 激光处理 激光加工
背景情况:
- 激光切片为晶圆制造提供了一个低,低损坏的替代方案.
- 了解激光对碳化 (SiC) 晶体完整性和性能的影响至关重要.
研究的目的:
- 研究紫外线 (UV) 皮秒激光切片对4H-SiC晶片晶体完整性,表面修饰和电荷传输的影响.
- 为了描述激光切片后的近表面变化和电气性质的保存.
主要方法:
- 对晶体结构的X射线衍射 (XRD) 和极形状测量.
- 拉曼光谱用于载体度分析.
- 对电气性能进行大厅测量.
- AFM,ARXPS,SIMS,TEM/SAED用于纳米级表面表征.
主要成果:
- XRD证实了4H堆叠和晶体方向的保存.
- 拉曼和霍尔测量结果显示,散装电性质没有退化 (载体度~3.1 × 10^18 cm^-3).
- AFM,ARXPS,SIMS,TEM揭示了薄无形/多晶修饰层和氧气丰富,在丘陵地区的粗度增加.
结论:
- 紫外线皮秒激光切片保持4H-SiC的内在晶体和电性质.
- 局部纳米级表面损伤是引入的,并且取决于表面地形.
- 优化激光参数和后处理是必要的,以尽量减少表面损伤.
