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Updated: Jan 7, 2026

Scanning-probe Single-electron Capacitance Spectroscopy
Published on: July 30, 2013
Yuchen Miao1,2, Qingyu Yuan3, Chuangye Wang1,2
1School of Electronic Engineering, Jiangsu Ocean University, Lianyungang 222005, China.
本研究介绍了化高电子移动性晶体管 (GaN HEMT) 的改进的非线性电容模型. 改进的模型准确地描述了内在电容,在实验验证中表现优于传统的安吉洛夫模型.
科学领域:
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主要成果:
结论: