基于分子动力学的单晶4H-碳化物化学机械抛光过程的模拟分析
Yang Lei1, Weigang Guo1, Kaiping Feng2
1Special Equipment Institute, Hangzhou Polytechnic University, No. 68, Xueyuan Street, Hangzhou 310018, China.
Micromachines
|December 31, 2025
概括
这项研究揭示了化学机械抛光 (CMP) 如何使用分子动力学影响碳化 (SiC). 提高抛光深度和速度可以提高原子去除率,而深度对去除率的影响更大.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面化学 表面化学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 化学机械抛光 (CMP) 对于半导体制造至关重要.
- 了解CMP在单晶碳化 (SiC) 上的原子级机制对于过程优化至关重要.
研究的目的:
- 调查SiC CMP.期间的化学和机械相互作用.
- 分析抛光参数对材料去除的影响.
主要方法:
- 用分子动力学 (MD) 模拟来建模CMP过程.
- 为了了解原子反应,进行了氧化模拟.
主要成果:
- 原子主要以Si-O和Si-H的形式反应,而C原子则形成C-O键.
- 提高了抛光深度和速度,导致了更高的基板原子去除.
- 8安格斯特姆的抛光深度去除了624个原子,而125米/秒的速度导致了~800°C的温度.
结论:
- 抛光深度和速度显著影响SiC CMP工艺.
- 抛光深度对原子去除率的影响比速度更为复杂.
