基于W/C多层结构的轻度化n型4H-SiC的高温稳定欧姆接触过程
Yu Zhou1,2, Fengyu Du1,2, Qingwen Song1,2
1School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China.
Micromachines
|December 31, 2025
概括
我们开发了一种使用/碳纳米层在碳化 (SiC) 上创建稳定的电接触的新方法. 这种技术在没有离子植入的情况下在高温下实现了出色的性能,降低了成本.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体设备制造业 半导体设备制造业
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 碳化 (SiC) 是高功率和高温电子产品的关键材料.
- 开发稳定的欧米接触对于SiC设备的性能至关重要,特别是在高温下.
- 现有的方法往往涉及复杂的过程,如离子植入,导致缺点,如晶格损伤和更高的成本.
研究的目的:
- 提出和演示一种新的方法,用于制造高热稳定性欧米接触在4H-SiC.
- 为了研究制造的接触器的电气和热稳定性特征.
- 为SiC提供一种成本效益和可靠的替代方案,而不是传统的Ohm接触制造技术.
主要方法:
- 使用了/碳 (W/C) 多纳米层堆叠结构.
- 采用低兴奋剂度 (2.5 × 10^15 cm^-3) 的n型表轴4H-SiC层.
- 应用了1200°C的快速热工艺 (RTP) 来进行回火.
主要成果:
- 在室温下达到2.53 × 10^-4 Ω·cm2的特定接触电阻 (ρc).
- 在500°C时显著降低了1.29 × 10^-5 Ω·cm2的 ρc.
- 显示出卓越的长期运行可靠性,在100小时的500°C空气试验中保持稳定的性能,没有降解.
结论:
- 拟议的W/C多纳米层结构与RTP相结合,在低兴奋剂4H-SiC上提供高度稳定的欧米接触.
- 这种制造方法避免了离子植入,从而防止了晶格损坏并降低了整体制造成本.
- 证明的高热稳定性使得这种方法非常适合在高温下运行的基于SiC的先进设备.
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