,

Roman R Altunin1, Evgeny T Moiseenko1, Ivan V Nemtsev1,2,3

  • 1Siberian Federal University, 79 Svobodny Ave., 660041 Krasnoyarsk, Russia.

PubMed
概括

超薄的金膜表现出混合的2D/3D增长模式,导电性出现在约1.0 nm,近连续膜形成约2.0 nm,揭示了关键的形成见解.

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