MOS Capacitor
Biasing of FET
Capacitor With A Dielectric
Equivalent Capacitance
Equivalent Capacitance
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Yunseok Nam1, Sangho Lee1, Yangjin Jung1
1School of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science & Technology, Daejeon 34141, Republic of Korea.
设计的负电容电荷陷闪存 (NC-CTF) 存储器使用Hf0.5Zr0.5O2层与中间层来提高效率. 这一创新使低压操作成为可能,并提高了高密度非挥发性内存应用的可靠性.
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