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Updated: Jul 10, 2026
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Atomically Traceable Nanostructure Fabrication
Published on: July 17, 2015
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可扩展的同位素原子层蚀刻SiO2通过热基激活激活
Min Kyun Sohn1, Jieun Kim1, Seong Hyun Lee1
1Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI), Daejeon 34129, Republic of Korea.
Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids
|January 7, 2026
概括
使用SF6的等离子体辅助热原子层蚀刻 (ALE) 为高级晶体管中蚀刻门氧化物提供了比HF更安全的替代方案. 这种方法在6英寸晶圆上实现了高均性 (>99%),使得3D门的精确制造成为可能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 半导体制造业 半导体制造业
- 等离子体物理学的物理学
背景情况:
- 原子层蚀刻 (ALE) 对于制造先进的半导体设备,如Gate-All-Around (GAA) 晶体管至关重要.
- 使用酸 (HF) 的传统热ALE由于其高反应性和腐蚀性而面临限制.
- 开发精确和统一的蚀刻工艺对于3D门实现至关重要.
研究的目的:
- 克服传统热力ALE的局限性.
- 开发用于晶圆尺度制造的等离子体辅助热ALE工艺.
- 为了研究网关氧化物层的蚀刻机制.
主要方法:
- 使用等离子体辅助热ALE与硫六化物 (SF6) 作为基源.
- 在5 Torr压力下建立了自我限制的蚀刻条件.
- 分析了使用三甲基转换,化和去除步骤的蚀刻机制,得到X射线光电谱学 (XPS) 的支持.
主要成果:
- 在6英寸晶圆尺度上实现了优化的ALE,在6英寸晶圆尺度上具有99%以上的均性.
- 在制造的GAA纳米结构中,证明了二氧化 (SiO2) 层的合规蚀刻.
- 通过实验分析证实了拟议的ALE机制的有效性.
结论:
- 使用SF6的等离子体辅助热ALE为基于HF的ALE提供了一个可行的,更安全的替代方案.
- 开发的工艺可以实现先进半导体制造所需的精确和均蚀刻.
- 该研究成功地建立了一个适合3D门堆的晶圆尺度ALE过程.
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