缺陷和Fe-doped InS单层的电子和磁性特性,通过孔 doping作为第二个功能化步骤进行调整:一项第一原则研究
Nguyen Thanh Tien1, Nguyen Thanh Son2, Truong Tuan Vu1,3,4
1College of Natural Sciences, Can Tho University 3-2 Road, Can Tho City 900000 Vietnam.
孔染改变了有缺陷和合铁的INS单层的电子和磁性特性. 这种功能增强了磁性异构性,并控制了用于自旋电子应用的电子结构.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 计算材料科学科学 计算材料科学
背景情况:
- 硫化 (InS) 单层是具有潜在应用的二维材料.
- 缺陷和兴奋剂是调整材料属性的关键策略.
研究的目的:
- 为了研究洞穴兴奋剂对缺陷和Fe-doped InS单层材料的影响.
- 探索用于自旋电子应用的电子和磁性性能的修改.
主要方法:
- 使用密度函数理论 (DFT) 的计算.
- 模拟分析了原始的,有缺陷的 (In和S空缺) 和 Fe-doped InS单层.
- 系统地研究了不同孔度的影响.
主要成果:
- 在InS单层中,印空隙会诱导半金属性和磁性.
- 铁剂可以产生具有显著磁矩的磁性半导体.
- 孔剂增强平面内磁性异构性 (IMA) 并调整电子结构,根据缺陷类型对磁性产生不同的影响.
结论:
- 孔是可行的第二个功能化步骤,以量身定制InS单层特性.
- 该研究提供了关于控制自旋电子和光电子设备的电子和磁性行为的见解.
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