大脑小脑iTBS通过牙核-腹中介质丘脑通路改善中风后的认知障碍
Yao Pan1, Yaping Huai2, Yichen Lv3
1School of Special Education and Rehabilitation, Binzhou Medical University, Yantai 264003, Shandong, China; Department of Rehabilitation Medicine, Yangzhou Second People's Hospital, Yangzhou 225001, Jiangsu, China.
脑小叶间歇性甲基突破刺激 (iTBS) 通过调节牙核-腹中介质体 (DN-VM) 电路,通过提供潜在的新治疗点,增强了中风后认知障碍 (PSCI) 小鼠的认知功能.
科学领域:
- 神经科学是一个神经科学.
- 神经调节是一种神经调节.
- 脑卒中康复治疗 脑卒中康复治疗
背景情况:
- 脑卒中后认知障碍 (PSCI) 在神经恢复方面是一个重大挑战.
- 小脑牙核-对侧腹中枢丘脑 (DN-VM) 电路在中风后的认知功能中的作用尚未完全理解.
- 间歇性甲爆刺激 (iTBS) 是一种具有潜在治疗应用的非侵入性脑刺激技术.
研究的目的:
- 调查小脑iTBS在PSCI小鼠模型中的认知益处是否由DN-VM电路介导.
- 在PSCI中探索与iTBS和DN-VM电路调制相关的电生理学变化.
- 确定DN-VM通路是否可以成为改善中风后认知缺陷的目标.
主要方法:
- 使用光血性中风模型在小鼠中诱导PSCI.
- 小鼠被分为接受假治疗,iTBS或DN-VM电路的化学遗传操纵 (抑制或刺激) 的组.
- 进行了行为测试 (Y-迷宫),体内电生理学 (mPFC和vHPC中的局部场潜力),以及振荡功率,区域间连贯性和泰达-马合的分析.
主要成果:
- 脑膜iTBS显著改善了PSCI小鼠的Y迷宫性能.
- 通过iTBS治疗,提升了theta频段功率,增强了区域间一致性,并改善了mPFC和vHPC之间的theta-gamma合.
- 对DN-VM电路的化学遗传抑制减弱了iTBS的认知和电生理学益处,而激发模仿了这些效应.
结论:
- 脑 iTBS通过调节DN-VM电路来改善PSCI小鼠的认知缺陷.
- 该DN-VM通路是关键参与由小脑iTBS诱导的认知改善.
- DN-VM通路代表了PSCI治疗干预的有前途的神经调节标.
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