室温加工的无形Sn-excess-ITO电极用于高性能矿发光二极管
Ye-Seo Lee1, Jihun Kim1, So Mang Park1
1School of Advanced Materials Science and Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, Republic of Korea.
在室温处理,无粒边界的氧化 (ITO) 电极为高效的矿发光二极管 (PeLED) 提供了一条新途径. 这些无形的SE-ITO薄膜可以在不需要高温处理的情况下实现高性能.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光电学是指光电子产品.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 高效矿发光二极管 (PeLED) 需要具有低板电阻,高透射率和光滑形态的透明电极.
- 传统的晶体氧化 (ITO) 电极需要高温加工,由于颗粒边界和表面粗性,限制了它们在灵活和低温设备架构中的使用.
研究的目的:
- 开发室温加工的透明电极,用于高效率的PeLED.
- 为了克服传统ITO电极的局限性,用于灵活和低温设备制造.
主要方法:
- 在室温下使用RF-RF共喷射In2O3和SnO2制造无形Sn过量合的氧化 (SE-ITO) 电极.
- 优化Sn4+补充剂度 (19重量%) 和氧气空缺工程.
- 关于SE-ITO电极特性 (板电阻,光传导率) 和绿色PeLED中的性能.
主要成果:
- 无形SE-ITO电极在室温下实现了10 Ω平方-1的低板电阻和85%的高可见传导率.
- 使用SE-ITO阳极的PeLED显示了17.5%的峰值外部量子效率和1860 cd m-2的最大亮度,超过了商用晶体ITO的设备.
- 这些SE-ITO片呈现出一个原子光滑的形态,没有粒度边界.
结论:
- 完全无形,室温加工的SE-ITO电极是用于PeLED应用的晶体ITO的可行替代品.
- 开发的SE-ITO电极可以实现高效率,灵活和热兼容的PeLED技术.
- 这项工作为推进PeLED性能和制造提供了一个新的途径.
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