概括
先进的半导体制造需要敏感的缺陷检查. 这项研究引入了一种阿齐木斯导向的暗场成像方法,用于检测纳米尺度的缺陷,克服可见光谱的限制,以提高半导体产量.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 光学计量学是指光学计量学.
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 先进的工艺节点的持续扩展给制造业带来了挑战.
- 高灵敏度和高通量缺陷检查方法的需求很大.
- 可见光谱暗场成像由于噪声和表面粗而缺乏纳米级的灵敏度.
研究的目的:
- 为缺陷成像开发一个严格的物理模型.
- 为增强缺陷检测提出一个阿齐木斯导图像融合策略.
- 为了克服可见光谱中暗场成像的灵敏度限制.
主要方法:
- 基于矢量电磁理论构建了一个严格的物理模型.
- 开发了一种以光方向为指导的图像融合策略,利用缺陷散射对照明光方向的依赖.
- 配置了一个最佳的激光散射暗场成像系统.
主要成果:
- 系统地阐明了影响缺陷检测能力的机制.
- 实现了子波长 (sub-λ/18) 缺陷的有效识别.
- 证明了对随机定向的亚波长缺陷的增强检测能力.
结论:
- 向导聚变方法克服了可见光谱暗场成像中的灵敏度限制.
- 这项工作为先进的半导体节点的纳米尺度缺陷检查提供了有效的解决方案.
- 开发的物理模型有助于理解和改进缺陷检测机制.
