化物激活的CdSe薄膜中的辐射缺陷
Abasi Abudulimu1, Xiaoming Wang1, Tyler Brau1
1Wright Center for Photovoltaics Innovation and Commercialization (PVIC), Department of Physics and Astronomy, The University of Toledo, Toledo, Ohio 43606 United States.
化 (CdCl2) 退火将多孔的化 (CdSe) 转化为密集的多晶体,大大减少了与缺陷相关的能量损失. 这一过程提高了光带边缘的敏度,并澄清了广隙石灰体装置中的辐射路径.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 半导体设备物理 半导体设备物理
背景情况:
- 缺陷重组是基于Se的广泛基因体器件的主要局限性.
- 化物激活对这些材料中辐射通路的确切影响尚未完全理解.
研究的目的:
- 研究化 (CdCl2) 化如何影响化 (CdSe) 的微观结构和光电子特性.
- 阐明不同发射通道的机制及其与CdSe缺陷的关系.
主要方法:
- 用CdCl2.2对蒸发的CdSe进行回火.
- 温度和流动性依赖的光发光学 (PL) 光谱学.
- 时间解析的PL,超频谱映射和混合密度函数理论 (DFT) 计算.
主要成果:
- 在CdCl2化过程中,多孔CdSe纳米粒被转化为密集的微米级多晶体.
- 在300K时,Urbach能量从85降至17meV,这表明光学带边缘更加利.
- 确定了三个不同的发射通道,包括激发性,自由载体和与特定微观结构相关的持久红外波段.
结论:
- CdCl2回火显著提高了CdSe的材料质量和光学性能.
- 缺陷复合物,如-空缺和-空缺-复合物,都与观察到的发射频段有关.
- 了解这些缺陷通路提供了减轻宽间隙石灰体器件损失的策略.
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