Electrostatic Boundary Conditions in Dielectrics
Semiconductors
Band Theory
Valence Bond Theory
Electrostatic Boundary Conditions
Metal-Semiconductor Junctions
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Maximilian Hofer1, Christopher Fuchs1, Moritz Siebert1
1Institute for Topological Insulators and Physikalisches Institut, Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, 97074 Würzburg, Germany.
一种新的全频封膜功能方法准确地模拟了有效质量理论失败的半导体带结构. 这种在kdotpy中实施的方法对于理解窄材料至关重要.
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