对于一个扭曲的基板,与非均的亚-100纳米超薄膜进行快照厚度配置的横截面

科学领域:

• 光学计量学 在光学计量学
• 薄膜分析 薄膜分析
• 表面形测量仪表面形测量仪

背景情况:

• 精确测量超薄膜厚度和表面地形对于微电子和光学设备制造至关重要.
• 现有的方法往往缺乏同时评估片均性和基板曲性的能力.
• 不均的薄膜和基板变形可以显著影响设备性能.

研究的目的:

• 引入和验证一种新的动态光谱-圆测量干扰测量 (DSEI) 系统.
• 为了证明DSEI在非破坏性,同时测量超薄膜厚度和表面形状方面的能力.
• 在潜在扭曲的基板上实现非均薄膜的高分辨率横截面成像.

主要方法:

• 开发一个快照方案的DSEI系统,集成光谱干扰测量 (SI) 和动态光谱成像圆测量 (DSIE).
• 使用单体光谱极化干扰度模块,以增强测量能力.
• 实施相位补偿方法,以准确确定超薄膜的横截面厚度概况.

主要成果:

• DSEI系统成功地提供了100nm以下非均薄膜的横截面厚度线形状.
• 通过纳米级垂直分辨率,可以精确测量薄膜厚度和基板曲率.
• 展示了很大的视野 (10毫米),使得全面的样本分析.

结论:

• 拟议的DSEI系统提供了一种独特的,非破坏性的方法来表征超薄膜和基板.
• 开发的相位补偿技术提高了厚度配置测量的准确性.
• DSEI是先进材料制造中质量控制和工艺监控的一个有前途的工具.