概括
研究人员在III-V/Si平台上开发了L频段激光器和半导体光学放大器 (SOA). 这种集成使 LiDAR 和数据中心的高密度光子学具有成本效益.
科学领域:
- 光子学 光子学
- III-V/Si 整合方式
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- L频段激光器和半导体光学放大器 (SOA) 对于光学应用,如LiDAR和数据中心互连,至关重要.
- 在先进的光子设备中,III-V材料在上的异质整合是关键.
- 现有的解决方案面临成本和集成密度方面的挑战.
研究的目的:
- 通过使用统一的III-V/Si集成平台来演示L频段广泛调节的激光和高收益的SOA.
- 展示光学中高密度集成和降低成本的潜力.
- 为了实现激光和SOA设备的特定性能指标.
主要方法:
- 使用了一个III-V/Si异质集成平台.
- 从相同的III-V表轴晶圆结构开发了激光和SOA的共同制造工艺.
- 具有特征的激光调范围,侧模式抑制比,输出功率和SOA增益和和输出功率.
主要成果:
- 实现了一个L频段广泛调节的激光器,调节范围为43nm,侧模式抑制比>45dB,输出功率为9.15mW.
- 证明了高增益SOA,小信号增益为21dB,和输出功率为13dBm.
- 确认激光和SOA共享相同的III-V表轴晶片结构和制造工艺.
结论:
- 统一的III-V/Si集成平台成功实现了高性能L频段调节激光器和SOA的联合制造.
- 这种方法显著有利于高密度组件的集成,并降低了光子的制造成本.
- 展示的组件适用于LiDAR和光通信的先进应用.
