黑涂层作为宽带太赫兹到深紫外线吸收器
Aadya Menon1, Hanna Maltanava2, Nikita Belko2
1School of Computing, University of Eastern Finland, Joensuu 80101, Finland.
ACS omega
|February 23, 2026
概括
化学蚀刻的黑涂层为宽带电磁吸收提供了具有成本效益的解决方案. 这种可扩展的方法从太赫兹到深紫外线频率的吸收率超过95%.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 光学和光子学 在光学和光子学.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 宽带吸收器对于光谱,成像和能量收集至关重要.
- 传统的吸收器往往受到狭窄的带宽和复杂的制造的困扰.
- 太赫兹 (THz) 到深紫外线 (DUV) 频率应用需要高效的吸收解决方案.
研究的目的:
- 开发一个具有成本效益和可扩展的宽带吸收器.
- 为了研究黑 (b-Ni) 涂料的吸收特性.
- 为了克服现有的纳米结构吸收器的局限性.
主要方法:
- 黑 (b-Ni) 涂层的制造通过可扩展的电解沉积在铜上.
- 对b-Ni涂层铜基板进行受控的酸蚀刻.
- 使用扫描电子显微镜 (SEM) 和X射线光电谱 (XPS) 进行表征.
主要成果:
- 实现了从30到1500 THz的超宽带吸收.
- 在整个操作范围内,已证明吸收率超过95%.
- 与元材料相比,b-Ni涂层具有更高的制造简单性和可扩展性.
结论:
- 化学蚀刻的b-Ni涂层提供了强大的和具有成本效益的宽带吸收器.
- 开发的材料对于大面积的光谱和成像应用非常有前途.
- 这项技术使THz频率系统及其他领域的进步成为可能.
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