对LED设备的基板进行双面化学机械抛光的实验研究
Zhihao Zhou1,2,3, Jiabin Wang1,2, Zhongwei Hu1,2
1Institute of Manufacturing Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, China.
Micromachines
|February 27, 2026
概括
优化基板的双面化学机械抛光 (CMP) 提高了LED设备的可靠性. 这项研究确定了理想的抛光参数,以提高材料去除率和表面光滑度,这对于高功率应用至关重要.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面工程是什么?表面工程是什么?
- 半导体制造业 半导体制造业
背景情况:
- 在LED设备中,小型化和更高的功率密度增加了散热挑战,影响了可靠性.
- 基板为LED提供出色的导热性和热膨胀特性.
- 在LED应用中,基板需要严格的表面表面,平面性和低损坏处理.
研究的目的:
- 系统地研究关键参数对基板双面CMP的影响.
- 为了确定一个最佳的参数组合,以高效和精确的加工基板.
- 为了提高高质量的表面的材料去除率 (MRR) 和表面粗度 (Sa).
主要方法:
- 在双面化学机械抛光 (CMP) 中采用了正交角实验设计.
- 研究了抛光压力,泥pH值,添加剂 (H2O2,甘氨酸) 和磨料颗粒大小的影响.
- 使用权重矩阵优化来确定最佳参数组合.
主要成果:
- 确定了一个最佳的参数组:115 kPa的压力,pH 11,0.5%的H2O2,5 mg/L的甘氨酸和0.6 μm的磨料大小.
- 实现了80nm·min-1.1的物质去除率 (MRR).
- 将表面粗度 (Sa) 降低到1.1nm,从而产生类似镜像的表面.
结论:
- 多因素协同优化显著提高了双面CMP的表面质量和加工效率.
- 优化的工艺为生产高功率LED设备的高质量基材提供了基础.
- 增强的表面表面和平坦度对于先进的LED性能和寿命至关重要.
