4H-SiC晶片的超精密切割的加工特性,通过切割刀片切割

科学领域:

• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体制造业 半导体制造业
• 机械工程 机械工程

背景情况:

• 在半导体包装中,4H-SiC晶片的切片是非常重要的.
• 4H-SiC的高硬度和脆性导致在切割过程中产生裂纹和裂.
• 尽量减少碎片缺陷对于半导体产量和可靠性至关重要.

研究的目的:

• 调查工艺参数对4H-SiC晶片切片的影响.
• 在切割过程中分析碎片形成和材料去除机制.
• 确定最佳的切片参数,以减少切片缺陷.

主要方法:

• 实施了螺旋轴电流测量方案来监测研磨力.
• 进行了单一因素实验,对切割深度,线速度,料速度和磨料粒径进行了变化.
• 分析了切割接触区域,切片和侧墙的形态.

主要成果:

• 确定了影响切片质量的关键过程参数.
• 建立了过程参数和芯片化行为之间的关系.
• 获得了最佳的工艺参数,以减少碎片.

结论:

• 提供了4H-SiC晶片切割过程中材料去除的基本理解.
• 为优化半导体制造中的切割工艺提供了指导.
• 有助于提高半导体包装的质量和效率.