SiLGAA-nFETs,2nm

Qi Shen1, Shuo Zhang1,2,3, Zhi-Fa Zhang2

  • 1College of Integrated Circuits, Zhejiang University, Hangzhou 311200, China.

Micromachines
|February 27, 2026
PubMed
概括

这项研究模拟了先进的堆叠纳米板 (NS) 晶体管中的射频 (RF) 性能. 优化的设计实现了超过400 GHz的截止频率 (fT) 和1.2 THz的最大振荡频率 (fmax),这对于未来的高频电子非常重要.

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