KOH处理对微LED阵列在不同温度下的性能的影响

科学领域:

• 光电学是指光电子产品.
• 材料科学 材料科学 材料科学
• 半导体设备 半导体设备

背景情况:

• 微型发光二极管 (微型LED) 由于侧墙缺陷而面临着工业化的挑战.
• 氧化 (KOH) 处理是减轻缺陷和提高性能的关键方法.
• 对于许多微型LED应用来说,高温操作至关重要,需要温度依赖的分析.

研究的目的:

• 研究KOH处理对微LED阵列在不同温度下的光电子特性的影响.
• 在热应力下分析载体运输特性和重组机制.
• 为提供支持设计强大的微型LED用于高温应用的数据.

主要方法:

• 制造一个10微米尺寸的微型LED阵列.
• 对KOH处理 (KOH样本) 和未处理 (礁石样本) 器件的性能分析.
• 电光发射 (EL) 强度,发光度和外部量子效率 (EQE) 的温度依赖测量.

主要成果:

• KOH处理有效地减缓了高温诱导的载体道化和Shockley-Read-Hall (SRH) 重组.
• 从RT到100°C的EL强度减弱在KOH处理样本 (39.87%) 与0.5mA的参考样本 (40.24%) 相比略小 (39.87%).
• 与室温相比,100°C的发光衰减在KOH处理的样本中显著降低 (10.66%在1 mA) .
• 虽然由于Auger重组,KOH处理样本的EQE减弱率更高 (37.58%) ,但在100°C时,他们的整体EQE仍然优越.

结论:

• 通过减轻特定的与缺陷相关的重组途径,KOH处理提高了微型LED的热稳定性.
• 这项研究证明了KOH处理在提高微LED在高温操作条件下的性能方面的有效性.
• 这些发现为优化微型LED阵列设计和制造以适应苛刻的环境提供了关键数据.