应用倒置的大脑区域特定的错误向量可以提高临床电源成像的空间精度

科学领域:

• 神经科学是一个神经科学.
• 生物医学工程 生物医学工程
• 医疗成像医学成像

背景情况:

• 电源成像 (ESI) 对于定位大脑活动至关重要.
• 目前的ESI双极定位精度可能是有限的,影响临床应用.
• 电刺激潜力 (ESP) 为验证定位准确性提供了一个基本真理.

研究的目的:

• 为了提高电源成像 (ESI) 双极定位的精度.
• 利用电刺激潜力 (ESP) 作为改进ESI精度的基本真理.
• 开发和验证一种用于增强ESI双极本地化的新方法.

主要方法:

• 在患者的叶区域通过深度电极应用单脉冲电刺激.
• 计算ESI从头皮EEG与内ESP相关.
• 根据ESI双极和刺激坐标之间的空间偏移确定了特定区域的错误向量 (rEV).
• 将rEV的反向 (riEV) 应用于ESI二极管ESP和间接性性泄漏 (IED).

主要成果:

• riEV应用显著减少了计算ESP双极点和刺激坐标之间的错位.
• 在最佳的头骨头皮导电比下,定位误差从平均15.2毫米减少到8.2毫米.
• 误差体积从507mm3降低到373mm3. 这样可以减少误差.
• 在前侧部区域的间接发泄物 (IED) 的错位从20.6毫米减少到10.2毫米.

结论:

• 特定区域的反向误差向量 (riEV) 应用在个人之间适用.
• 这种方法显示了提高ESI双极定位精度的潜力.
• 进一步验证可能会导致riEV应用在临床ESI协议中被纳入,可能不需要对内电极进行植入.